三星启动第二代3nm工艺SF3试产,半导体领域迎新里程碑

   时间:2024-01-23 17:16 来源:虎科技

【虎科技】1月23日消息,三星晶圆代工厂已迈入新的里程碑,正式启动第二代3nm工艺SF3的试产阶段。这一重要进展意味着三星正积极与台积电在先进制程技术上展开激烈竞争。

虎科技获悉,SF3工艺的核心优势在于其独特的环栅(GAA)晶体管设计,该设计允许在同一单元内实现不同的纳米片沟道宽度。这种灵活性不仅有助于降低芯片的功耗,还能显著提升其性能。同时,通过优化布局,SF3工艺还能实现更高的晶体管密度,进一步提升了芯片的整体效能。

SF3工艺的问世将为多个领域带来深远影响。凭借其高效、强大的芯片制造能力,SF3有望推动人工智能、物联网和汽车等领域的快速发展。据三星内部消息透露,在接下来的半年内,公司计划将SF3的工艺良率提升至60%以上,以确保其顺利投入商用。

据悉,三星已计划将SF3工艺率先应用于可穿戴设备处理器上。其中,备受期待的Galaxy Watch 7系列有望成为首款搭载SF3工艺芯片的智能手表。此外,明年即将商用的Exynos 2500手机芯片也将采用SF3工艺制造,并由Galaxy S25系列手机首发搭载。这一系列布局充分展示了三星在半导体领域的雄心与实力。

 
 
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