台积电A16逻辑制程技术取得突破:背面电轨设计助力芯片性能功耗双提升

   时间:2026-08-19 23:35 来源:快讯作者:钟景轩

据韩媒ETNEWS报道,台积电(TSMC)在先进制程技术领域取得重大突破,其研发的A16逻辑制程技术已完成认证流程。这一技术属于台积电2纳米节点工艺家族的衍生方案,预计将于2026年下半年进入量产阶段。

作为全球首个引入背面电轨设计的制程方案,A16技术通过将供电线路转移至晶圆背面,为正面信号线路布局释放出更多空间。这种创新架构不仅提升了逻辑密度和性能表现,还能有效降低电压降,从而优化整体供电效率。台积电同步开发的背面接面技术,在维持与传统正面供电方案相同闸极密度的基础上,确保了布局版框尺寸和组件宽度调节的灵活性。

技术参数对比显示,在相同工作电压条件下,A16制程较前代N2P技术实现8%至10%的速度提升;若保持相同运算速度,功耗可降低15%至20%;同时芯片晶体管密度提升达10%。这些改进将显著增强芯片在高性能计算和低功耗场景下的综合表现。

行业分析指出,背面电轨技术的突破性应用,标志着半导体制造进入三维集成新阶段。该技术通过重构晶圆层面的电路布局,为持续推进摩尔定律提供了新的实现路径,预计将率先应用于人工智能加速器、高性能处理器等对算力密度要求严苛的芯片领域。

 
 
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